科學(xué)導(dǎo)報(bào)訊 記者王小靜 2月28日,，記者從中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所獲悉,，該所成功研制出山西省首片碳化硅芯片。

據(jù)了解,，作為新一代雷達(dá),、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電,、軌道交通,、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料,，碳化硅在航天,、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢,。因碳化硅具備高禁帶寬度,、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng),、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn),，更適合開發(fā)具有耐高溫、高功率,、高壓,、高頻以及抗輻射等優(yōu)勢的功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限,，已成為我國重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體,。

事實(shí)上，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,，而高穩(wěn)定性的長晶工藝技術(shù)是其核心,。如今，這一“心臟技術(shù)”只有少數(shù)發(fā)達(dá)國家掌握在手,，極少數(shù)企業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn),。自2007年，中國電科二所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃,，依靠自身在電子專用設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢,，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。經(jīng)過多年的不懈努力,，全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝,、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備,、晶體生長,、晶片加工,、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線，在國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料,、高純半絕緣芯片量產(chǎn),。