隨著人工智能的發(fā)展,，憶阻器因其“存算一體”的特性被越來越多的研究者關(guān)注,。近日，河北大學(xué)教授閆小兵團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種全新材料結(jié)構(gòu),。由鈦酸鋇摻雜低介電系數(shù)材料二氧化鈰的垂直排列納米復(fù)合（VANs）鐵電薄膜作為憶阻介質(zhì),，他們成功獲得了硅基外延鐵電薄膜。