通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導(dǎo)體通道,，日本科學(xué)家制造了三維垂直場效應(yīng)晶體管,，可用來生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件。此外,，通過使用反鐵電體代替鐵電體,，他們發(fā)現(xiàn)擦除數(shù)據(jù)只需要很小的凈電荷,，從而提高了寫入的效率。發(fā)表在2022年IEEE硅納米電子研討會(huì)上的該項(xiàng)成果,，將催生新的更小,、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。